АО «Экран-оптические системы» (ЭОС, актив РАТМ Холдинга), используя фундаментальные и прикладные разработки Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова (ИФП) СО РАН, приступило к реализации проекта по промышленному производству наногетероструктур на основе арсенида галлия*. Поставку необходимого оборудования в течение 12 месяцев осуществит ООО «КОМЕФ» (Москва) – договор с компанией подписан 2 февраля.

 Как пояснил председатель Совета директоров АО «Экран-оптические системы» Валерий Гугучкин, проект предполагает дополнение продукции, выпускаемой ЭОСом при помощи вакуумных технологий, изделиями, созданными в результате исследований в области твердотельной и полупроводниковой электроники, с применением «ростовых» методов.

– ЭОС будет первым предприятием в стране, которое, опираясь на новейшие разработки академической науки, запустит промышленное производство пластин GaAs для пассивных и активных устройств электронной компонентной базы (ЭКБ), – продолжает Валерий Гугучкин. – В настоящее время данные устройства и полуфабрикаты для них отечественные потребители вынуждены поставлять из-за рубежа.

Сфера применения пластин наногетероструктур GaAs огромна: мобильные телефоны, телекоммуникационные системы, энергетические установки, радиолокация.

– ЭКБ является первичным звеном в цифровой экономике, переход к ней без освоения ЭКБ на основе упомянутых полуфабрикатов невозможен, – подчеркивает Валерий Гугучкин.

– Я абсолютно убежден в успехе этого направления, отношения с заводом «Экран-оптические системы» у нас давние и прочные: сотрудничество длится с 1998 года, – напомнил академик РАН, почетный работник науки и техники РФ Александр Асеев. – Сегодня наши задачи усложняются, но, вместе с тем, для института это гигантский рывок: мы давно работаем на промышленность, но никогда не работали на промышленных установках.

Руководитель Сибирского территориального управления Федерального агентства научных организаций Алексей Колович назвал сотрудничество ИПФ СО РАН и ЭОСа идеальным примером взаимодействия науки и бизнеса:

– Внедрение научных достижений отвечает коммерческим интересам компании, которая изучив потребности рынка, увидела перспективы, а именно, возможность заработать, вкладывая деньги в создание наукоемкой продукции.

По словам директора ИФП СО РАН, академика РАН Александра Латышева, институт берет на себя техническое сопровождение проекта: его подготовка, в которой ученые и специалисты ИПФ принимали непосредственное участие, заняла три года.

Как сообщил генеральный директор АО «Экран-оптические системы» Андрей Гугучкин, промышленный выпуск пластин наногетероструктур GaAs намерены освоить в течение полутора лет, изготавливать их начнут в первом квартале 2019 года. Объем инвестиций – 350 млн рублей, срок окупаемости – до 3 лет, источник вложений – средства акционера и банковский кредит.

– ЭКБ на базе технологий арсенида галлия дает мощность 1-2 Вт, а с использованием нитрида галлия** этот показатель увеличивается в разы – до 20-25 Вт, – говорит Андрей Гугучкин. – В перспективе на ЭОСе планируют поэтапно запустить производство пластин GaN (инвестиции составят 750-900 млн рублей), а затем изготавливать ЭКБ на основе GaN и GaAs для силовой электроники (потребуется примерно 1 млрд рублей). Если все эти намерения воплотятся в жизнь, то на заводе откроют дополнительно 450-500 высокотехнологичных и высокопроизводительных рабочих мест, объем производства по указанным направлениям в денежном эквиваленте составит около 2,5-3 млрд рублей в год; а ежегодные налоговые отчисления АО «Экран-оптические системы» в консолидированный бюджет области достигнут 900 млн рублей.

Врио заместителя губернатора Новосибирской области Анатолий Соболев отметил, что проект ЭОСа включен в программу реиндустриализации экономики Новосибирской области и будет представлен вице-премьеру правительства РФ Аркадию Дворковичу на очередном заседании профильной рабочей группы:

– Речь идет о мощной связке – научный институт, инжиниринговая составляющая и  промышленный потенциал, обеспечивающей прорывы и экономический рост в регионе.

 *Химическая формула арсенида галлия – GaAs

**Химическая формула нитрида галлия – GaN