Mitsubishi Electric начнет пробный выпуск GaN-HEMT-транзисторов с выходной мощностью 220 Вт для базовых приемопередающих станций
Mitsubishi Electric начнет пробный выпуск GaN-HEMT-транзисторов с выходной мощностью 220 Вт для базовых приемопередающих станций
БППС с новыми транзисторами: компактные размеры и низкое энергопотребление при высокой производительности
Москва, 05сентября2016 г.– Корпорация Mitsubishi Electric объявила о создании нитрид-галлиевого транзистора с высокой подвижностью электронов (GaN-HEMT) и выходной мощностью 220 Вт, который сможет обеспечить самый высокий в мире КПД базовых приемопередающих станций (БППС)*, применяемых в системах мобильной связи четвертого поколения (4G) и работающих на частоте 2,6 ГГц. Пробный выпуск транзисторов начнется с 1 ноября 2016 года.
* Согласно данным Mitsubishi Electric по состоянию на 31 августа 2016 года.
Новый GaN-HEMT-транзистордля БППС 4G, работающих на частоте2,6 ГГц (MGFS53G27ET1)
В высокоскоростных системах мобильной связи 4G, включая сети стандартаLTE(Long Term Evolution) и LTE-Advanced, применяемые в макросотах БППС становятся все компактнее, но при этом растет их информационная емкость и снижается энергопотребление. Ожидается, что новые высокоэффективные GaN-HEMT-транзисторы от Mitsubishi Electric, предназначенные для работающих на частоте 2,6 ГГц БППС, будут способствовать дальнейшему уменьшению как габаритов этих устройств, так и их мощности.
Характеристики продукта
1) Высочайшая эффективность транзистора и его оптимизация
- Высокий КПД стока** – 74% – достигается благодаря применению более простой системы охлаждения, позволяющей уменьшить размеры БППС и ее энергопотребление.
2) Более компактные размеры
- Бесфланцевый керамический корпус уменьшает размер самого устройства и связанных с ним усилителей мощности.
3) Расширенный модельный ряд GaN-HEMT-транзисторов
- Для моделей мощностью 220 Вт, которые предназначены для работающих на частоте 2,6 ГГц БППС, добавлен вариант исполнения в бесфланцевом керамическом корпусе.
** Измерение проводилось с использованием нагрузочного резистора.
Основные технические характеристики
Применение |
Модель |
Частота [ГГц] |
Радиочастотные характеристики |
Рабочее напряжение Vd*** [В] |
|||
Выходная мощность в режиме насыщения |
Линейный коэффициент усиления[дБ] |
КПД стока** [%] |
|||||
[дБм] |
[Вт] |
||||||
БППС для макросот |
MGFS53G27ET1 |
От 2,5до2,7 |
53,4 |
220 |
18 |
74 |
50 |
MGFS53G38ET1 |
От 3,4до3,8 |
52,6 |
180 |
17 |
70 |
50 |
|
MGFS50G38FT1 |
50,0 |
100 |
17 |
74 |
|||
MGFS50G38ET1 |
49,5 |
90 |
17 |
74 |
|||
БППС для малых сот |
MGFS39G38L2 |
39,5 |
9 |
20 |
67 |
||
MGFS38G38L2 |
38,4 |
7 |
20 |
67 |
|||
MGFS37G38L2 |
37,0 |
5 |
20 |
67 |
*** Напряжение стока.
В дальнейшем модельный ряд будет дополнен транзисторами, предназначенными для других выходных мощностей и частот и адаптированными под системы мобильной связи следующих поколений.
Данный продукт удовлетворяет требованиям Директивы 2011/65/EU по ограничению использования опасных и вредных веществ в электрооборудовании и электронном оборудовании (RoHS).
Полиметаллический холдинг «Селигдар» объявляет о выпуске цифровых финансовых активов (ЦФА) на базе информационной системы, оператором которой выступает АО «Альфа-Банк». Размещение цифровых активов проходит в период с 26 по 30 июня 2025 года. Общий объём выпуска может составить до 1,5 миллиарда рублей, при этом стоимость одного ЦФА 1 000 рублей.
Полиметаллический холдинг «Селигдар» объявляет о выпуске цифровых финансовых активов (ЦФА) на базе информационной системы, оператором которой выступает АО «Альфа-Банк». Размещение цифровых активов проходит в период с 26 по 30 июня 2025 года. Общий объём выпуска может составить до 1,5 миллиарда рублей, при этом стоимость одного ЦФА 1 000 рублей.
Российская компания «Систэм Электрик», производитель комплексных решений в области распределения электроэнергии и автоматизации, сообщает, что модульное оборудование брендов Systeme Electric и Dekraft первым в России успешно прошло проверку по стандартам Единой системы входного контроля (ЕСВК) ассоциации «Честная позиция».
Вторичная гранула пп пнд пвд стрейч
Вторичная гранула пп пнд пвд стрейч
Вторичная гранула пп пнд пвд стрейч
Вторичная гранула пп пнд пвд стрейч
Вторичная гранула пп пнд пвд стрейч